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IT之家 3 月 13 日消息，路透社表示，三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導(dǎo)的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅持使用的非導(dǎo)電薄膜（NCF）技術(shù)。

三位直接知情人士稱，三星已經(jīng)發(fā)出了處理 MR-MUF 技術(shù)的設(shè)備采購訂單。“三星必須采取一些措施來提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技術(shù)對三星來說有點像是拋棄自尊心的決定，因為這相當(dāng)于效仿了 SK 海力士的行為。”

有分析師表示，三星的 HBM3 芯片生產(chǎn)良率約為 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生產(chǎn)良率約為 60-70%。隨著 AI 行業(yè)的火熱，業(yè)界對于?HBM3 和 HBM3E 需求越來越高，三星必須盡快做出改變。

消息人士稱，三星還在與包括日本長瀨集團(tuán)在內(nèi)的材料供應(yīng)商洽談采購 MUF 材料的事宜，但使用這一技術(shù)的高端芯片最早要到明年才能實現(xiàn)量產(chǎn)，因為三星還需要進(jìn)行大量測試。IT之家注：長瀨產(chǎn)業(yè)株式會社是擁有近 200 年歷史的日本十大商社之一，是全世界最大的專業(yè)化工商社。

三位消息人士還表示，三星計劃在其最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技術(shù)。

三星回應(yīng)稱，其內(nèi)部開發(fā)的 NCF 技術(shù)是適用于 HBM 產(chǎn)品的“最佳解決方案”，并將用于其 HBM3E 芯片，后續(xù)“將按照計劃推進(jìn) HBM3E 產(chǎn)品業(yè)務(wù)”，而英偉達(dá)和長瀨拒絕置評。

《三星考慮將 MUF 技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器 DRAM 內(nèi)存》

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